CES 2014
Новые чипы, стирающие грань между оперативной памятью и пространством хранения, уже выходят за рамки нишевых приложений и могут полностью изменить характер использования ПК. «Эти микросхемы обладают такой же мгновенной реакцией, как и те, что установлены в планшетных компьютерах, отличаясь даже более высоким быстродействием, – указал глава Coughlin Associates Том Кофлин. – Новые технологии твердотельной памяти начинают играть все более заметную роль. Чипы магниторезистивной памяти должны стать важной вехой в деле развития энергонезависимой памяти. То же самое можно сказать и о микросхемах резистивной памяти». Обычные микросхемы оперативной памяти DRAM хранят нули и единицы в виде электрического заряда, присутствующего в каждой из ячеек, тогда как микросхемы Magnetoresistive RAM (MRAM) используют для этого магнитный заряд. Микросхемы Resistive RAM (RRAM) представляют собой «бутерброд», состоящий из двух материалов. Центральный его слой имеет сопротивление, отличающееся от сопротивления материала, из которого изготовлены внешние слои. «Некоторые новые технологии, созданные в лабораториях, уже сейчас находят применение в ряде нишевых приложений, которые постепенно получают все более широкое распространение», – отметил Кофлин в своем выступлении на конференции Storage Visions, проходившей в Лас-Вегасе в рамках международной выставки CES. Многие крупные производители компьютерной памяти уже задумываются о переходе на новые технологии. Компании Renesas, Hitachi и Micron Technology реализуют проект MRAM совместно с японским университетом Тохоку. В августе 2013 года компания Crossbar объявила о планах выпуска и лицензирования микросхем RRAM. Конечно, для того чтобы новые технологии пришли на смену микросхемам DRAM, их нужно совершенствовать, да и цена чипов тоже должна снижаться.
