СтатьиНовостиОбзорыCES 2015
А поскольку RRAM можно выпускать с помощью тех же процессов, что и NAND, оборудование имеющихся производственных линий менять не придется. Но прежде чем начать производство, специалистам Crossbar пришлось преодолеть серьезное техническое препятствие — утечку электронов из ячеек памяти, приводящую к ошибкам в данных. Утечка электронов — обычная проблема для энергонезависимой памяти, в том числе флеш-памяти [...]